產(chǎn)品描述

特徵優(yōu)點(diǎn)

◆ CRM控制模式
◆ 超低的啟動(dòng)電流(30μA) ◆ PFC>0.95

◆ THD<10
◆ 高轉(zhuǎn)換效率
◆ 精準(zhǔn)的輸出電壓基準(zhǔn)±1% ◆ 精準(zhǔn)的可編程過壓保護(hù) ◆ 高速動(dòng)態(tài)回應(yīng)，無過沖 ◆ SOP-8

MC101A 是一款功率因數(shù)校正控制器晶片。其採用 C R M (Critical Conduction Mode)控制模式，內(nèi)部集成乘法器， 有 低的啟動(dòng)電流和工作電流，可便捷的在寬輸入電壓 (90V~305V) 應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高 PF 值、低 THD 的優(yōu)良性能。

採用內(nèi)部精準(zhǔn)演算法實(shí)現(xiàn)高速動(dòng)態(tài)回應(yīng)無過沖，可提供輔 助供電供模組使用，達(dá)到降低智能調(diào)光驅(qū)動(dòng)整體 BOM 成本。

應(yīng)用

■ LED驅(qū)動(dòng)電源
■ AC-DC開關(guān)電源PFC效正 ■ 智能調(diào)光

功能描述

欠壓鎖定 (UVLO)和電壓箝位

欠壓鎖定電路的 VCC 開啟電壓閾值為 12.5V，關(guān)閉電壓閾值為 10V。在欠壓鎖定時(shí)，鎖定驅(qū)動(dòng)輸出等大部分電路。此 時(shí)，MC101A 有超低的啟動(dòng)電流，可大大減小供電電阻上的功耗。

MC101A 集成了 VCC 電壓箝位電路，可防止 VCC 電壓過高損壞 IC。在 VCC 電壓達(dá)到箝位電路閾值時(shí)，IC 內(nèi)部將從 VCC 下拉大的電流，實(shí)現(xiàn)電壓箝位。

誤差放大器 (EA)

誤差放大器同相端為 2.5V 基準(zhǔn)電壓，反相端為 INV，輸出為 COMP。INV 端通過分壓電阻串探測(cè) PFC 輸出電壓。在 INV 和 COMP 兩端外接電容，形成積分器。一般地，需選擇合適的外接電容，使得積分器帶寬低於 20Hz，以減小工頻紋波。INV 端還集成了使能控制功能。當(dāng)把 INV 端電壓下拉到 0.2V 以下時(shí)，MC101A 將被鎖定，關(guān)閉 GD 輸出。

過壓調(diào)整和過壓保護(hù)

此積分器具有較小的帶寬，其回應(yīng)速度較慢。在輸入電壓突然增大或者負(fù)載突然減小等情況下，容易使得 PFC 輸出電 壓急劇增大。為增大 PFC 輸出過壓的回應(yīng)速度，MC101A 集成了過壓調(diào)整和過壓保護(hù)電路。

IC 通過探測(cè) COMP 電流情況來實(shí)現(xiàn)過壓調(diào)整和過壓保護(hù)。在穩(wěn)態(tài)工作時(shí)，外接的電容上沒有電流。但在 PFC 電壓突然 增大時(shí)，流過分壓電阻 R6 和 R7(見典型應(yīng)用電路)上電流增大;但 INV 端電壓還會(huì)維持在 2.5V，即流過 R8 的電流不變;所 以，由電壓突變引起的增大的電流將流經(jīng)外接的積分器電容，流入 COMP 端。當(dāng)流入 COMP 端的電流大於 24μA，過壓調(diào)整 電 路工作，將使得乘法器輸出快速減小，從而減小導(dǎo)通時(shí)間，減小傳遞到 PFC 輸出的能量;當(dāng)流入 COMP 端電流繼續(xù)增 大、 並大於 27μA 時(shí)，過壓保護(hù)電路工作，將鎖定 GD 輸出。在應(yīng)用中，可調(diào)整 R6 和 R7 電阻值，編程設(shè)定 PFC 輸出的突 變電壓 大小。

過壓保護(hù)電路觸發(fā)後，當(dāng)且僅當(dāng)流入 COMP 端電流下降到 7μA、COMP 端電壓高於 2.2V，IC 才會(huì)解鎖 GD 輸出。

乘法器 (MULTIPLIER)

乘法器有兩個(gè)輸入端，一個(gè)是誤差放大器輸出 COMP 端，另一個(gè)是 MULT 端。MULT 端通過外接分壓電阻探測(cè)全波整流後 的市電輸入電壓。乘法器在寬輸入電壓範(fàn)圍內(nèi)都擁有優(yōu)良的線性輸出，使得輸入電流跟隨輸入電壓，實(shí)現(xiàn)高 PF 值特性。 乘法器輸出內(nèi)部箝位在 1.08V。在上電啟動(dòng)等特殊情況下，功率 MOSFET 過長時(shí)間會(huì)導(dǎo)致過大的電流。箝位乘法器輸出可 防止出現(xiàn)過長的導(dǎo)通時(shí)間，防止損壞功率 MOSFET。

電流探測(cè)

CS 端通過檢測(cè)採樣電阻上的電壓來探測(cè)功率 MOSFET 中電流，並送入內(nèi)部比較器，與乘法器輸出電壓比較。當(dāng) CS 端 電壓大於乘法器輸出電壓時(shí)，複位 GD 輸出。通過逐週期的電流探測(cè)，使得 PFC 電流(也即等比例的市電輸入電流)與乘法器 輸出電壓呈比例;而乘法器輸出與市電輸入電壓呈正比，這也就使得市電輸入電流跟隨輸入電壓。

在電流探測(cè)時(shí)，隨著功率 MOSFET 的開關(guān)，有較大的開關(guān)雜訊。在 GD 端驅(qū)動(dòng)信號(hào)的前沿，功率 MOSFET 的導(dǎo)通工作時(shí)引 入的雜訊容易使得電路出現(xiàn)“誤探測(cè)”。MC101A 使用“前沿空白時(shí)間”(LEB)濾波，即在前沿空白時(shí)間內(nèi)(典型情況下， 200ns)遮罩電流探測(cè)電路。使用 LEB 代替?zhèn)鹘y(tǒng)的 RC 濾波器，可避免 RC 濾波器的延時(shí)，增加電流探測(cè)電流的速度。

零電流檢測(cè) (ZCD)

IC 通過 ZCD 端探測(cè) PFC 電感上的電流。在 CRM 模式下，當(dāng)此電感上電流降為零時(shí)，置位 GD，打開功率 MOSFET，開始 一個(gè)週期。功率 MOSFET 打開後，電感電流逐漸增大，同時(shí)電感儲(chǔ)能。電流到達(dá)一定值後，電流探測(cè)電路將關(guān)閉 MOSFET， 電感開始釋放能量。

當(dāng)電感中存儲(chǔ)的能量全部釋放給輸出端時(shí)(電感電流下降到零)，ZCD 端電壓將開始下降，一旦 ZCD 端電壓下降至 IC 設(shè) 定的門限電壓(典型值為 0.7V)以下，GD 輸出將再一次為高電平，確立一個(gè)新的開關(guān)週期的開始。功率 MOSFET 總是在電感 電流降為零時(shí)導(dǎo)通，以使導(dǎo)通損耗和雜訊最小化。

電路設(shè)置了 PFC“重啟”功能(PFC Restart)，即重啟定時(shí)電路。在上電啟動(dòng)或者 ZCD 探測(cè)出現(xiàn)探測(cè)異常，使得置位 “丟失”的情況下，每隔 190μs 會(huì)產(chǎn)生一個(gè)置位信號(hào)，直到 ZCD 探測(cè)電路重新正常工作。